產(chǎn)品分類

磁敏電阻

主軸測(cè)速傳感器

差分磁阻傳感器

轉(zhuǎn)速傳感器

磁敏電阻+

銻化銦（InSb）薄膜磁敏電阻SMR芯片

銻化銦薄膜磁敏電阻是本公司的核心產(chǎn)品，是磁敏電阻類傳感器的核心敏感元件。其阻值R隨垂直通過(guò)它的磁通密度B的變化而變化。利用此特性可方便地以磁場(chǎng)為媒介，在非接觸情況下將位移、位置、轉(zhuǎn)速、角度等非電量轉(zhuǎn)變成電量，從而對(duì)非電量進(jìn)行測(cè)量和控制。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

銻化銦薄膜磁敏電阻是本公司的核心產(chǎn)品，是銻化銦薄膜磁敏電阻類傳感器的核心敏感元件，它具有靈敏度高、可靠性高、性價(jià)比高、無(wú)接觸測(cè)量、頻響寬（ 0 － 100kHz ）、使用方便等特點(diǎn)。在如高速測(cè)量、角度控制、位置控制、信號(hào)跟蹤等領(lǐng)域，采用銻化銦薄膜磁敏電阻傳感器常常是理想的解決方案。

工作原理

銻化銦薄膜磁敏電阻是利用銻化銦薄膜的磁阻效應(yīng)而制作的一種新型敏感元件，它的阻值R隨垂直通過(guò)它的磁通密度B的變化而變化：B<0.1T時(shí)，R∝；B>0.1T時(shí)R∝B；B＝0.3T時(shí)>2.0，如下圖所示。利用此特性可方便地以磁場(chǎng)為媒介在非接觸的情況下將非電量（如位移、位置、轉(zhuǎn)速、角位移、壓力、加速度等等）轉(zhuǎn)變成電量，從而對(duì)非電量進(jìn)行測(cè)量和控制。

產(chǎn)品內(nèi)部芯片構(gòu)成圖

銻化銦薄膜磁敏電阻的生產(chǎn)采用先進(jìn)的薄膜生產(chǎn)及平面光刻工藝，其圖形、尺寸、阻值可根據(jù)需要靈活設(shè)計(jì)。我公司現(xiàn)有磁敏電阻產(chǎn)品如下：

產(chǎn)品型號(hào)及參數(shù)

型號(hào)	尺寸（mm）	阻值（Ω）	靈敏度	工作溫度	最大工作電流	不對(duì)稱性
MR-L-1	3.8×1.8	1×（100～2000）	> 2.0	-20～80℃	< 15mA
MR-L-2A	4.5×3.5	2×（300～3000）	> 2.0	-20～80℃	< 15mA	< 10%
MR-L-2B	3.0×2.5	2×（300～3000）	> 2.0	-20～80℃	< 15mA	< 10%
MR-L-2C	7.6×1.8	2×（300～3000）	> 2.0	-20～80℃	< 15mA	< 10%
MR-L-4	4.6×4.0	4×（300～3000）	> 2.0	-20～80℃	< 15mA	< 10%
MR-R-2	5.0×4.0	2×（800～3000）	> 2.0	-20～80℃	< 15mA	< 10%